بهبود اثر مگنتواپتیکی کر در ساختارهای بلور فوتونی مغناطیسی یک بعدی شامل نانولایه های مغناطیسی
thesis
- وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه شهید بهشتی - دانشکده علوم
- author حسین علیصفایی
- adviser مجید قناعت شعار مهرداد مرادی
- Number of pages: First 15 pages
- publication year 1389
abstract
چکیده ندارد.
similar resources
تأثیر استفاده از مواد با ضریب شکست منفی بر روی طیف‌های اپتیکی و مگنتواپتیکی بلورهای فوتونی مغناطیسی با مغناطش طولی
تمرکز این مقاله روی پتانسیل مواد با ضریب شکست منفی به منظور بهتر نمودن مشخصه‌های اپتیکی و مگنتواپتیکی بلورهای فوتونی مغناطیسی یک بعدی می‌باشد. ما قابلیت مواد دوگانه-منفی در مقایسه با مواد معمولی در بلورهای فوتونی مغناطیسی را بررسی کرده‌ایم. به عنوان یک نتیجه، دریافتیم که یک پهن‌شدگی در طیف‌های اپتیکی و مگنتواپتیکی ساختارهای بلور فوتونی مغناطیسی شامل مواد دوگانه-منفی رخ می‌دهد. در واقع، نتایج نش...
full textخواص تراگسیلی بلورهای فوتونی یک بعدی شامل لایۀ نقص مگنتواپتیکی با اپسیلون - نزدیک - صفر
در این مقاله، ویژگی‌های تراگسیلی بلور فوتونی یک بعدی حاوی لایۀ نقص مگنتواپتیکی با اپسیلون - نزدیک - صفر و با تغییر المان قطری تانسور گذردهی الکتریکی لایۀ نقص بررسی شده است. برای انجام محاسبات روش ماتریس انتقال 4×4 به کار گرفته شده است. بررسی نتایج نشان می‌دهد که چنین ساختاری برای یکی از قطبش‌های دایروی کاملاً غیر شفاف است، در صورتی که برای قطبش دیگر به ازای ضخامت‌های خاص و معینی می‌تواند دارای ض...
full textتنظیم ضریب جذب غیرخطی بلور فوتونی یک بعدی شامل نقص لایه گرافن
امروزه نانوساختار‌های گرافن استعداد چشمگیری برای استفاده در کاربردهایاپتوالکترونیک غیرخطی مانند فیلترهای باندگذر باریک از خود نشان داده‌اند. در این مقاله، میزان جذب غیرخطی بلور فوتونی یک بعدی شامل لایه‌های دی‌الکتریک Ta2O5 و SiO2 و لایه گرافن به عنوان نقص ساختار که دارای خاصیت غیرخطی نوری است، از جنبه نظری بررسی شده است. به دلیل پذیرفتاری غیرخطی مرتبۀ سوم قوی گرافن، اثر اپتیکی کر یکی از اثرات غ...
full textخواص تراگسیلی بلورهای فوتونی یک بعدی شامل لایۀ نقص مگنتواپتیکی با اپسیلون - نزدیک - صفر
در این مقاله، ویژگی های تراگسیلی بلور فوتونی یک بعدی حاوی لایۀ نقص مگنتواپتیکی با اپسیلون - نزدیک - صفر و با تغییر المان قطری تانسور گذردهی الکتریکی لایۀ نقص بررسی شده است. برای انجام محاسبات روش ماتریس انتقال 4×4 به کار گرفته شده است. بررسی نتایج نشان می دهد که چنین ساختاری برای یکی از قطبش های دایروی کاملاً غیر شفاف است، در صورتی که برای قطبش دیگر به ازای ضخامت های خاص و معینی می تواند دارای ض...
full textتأثیر استفاده از مواد با ضریب شکست منفی بر روی طیف های اپتیکی و مگنتواپتیکی بلورهای فوتونی مغناطیسی با مغناطش طولی
تمرکز این مقاله روی پتانسیل مواد با ضریب شکست منفی به منظور بهتر نمودن مشخصه های اپتیکی و مگنتواپتیکی بلورهای فوتونی مغناطیسی یک بعدی می باشد. ما قابلیت مواد دوگانه-منفی در مقایسه با مواد معمولی در بلورهای فوتونی مغناطیسی را بررسی کرده ایم. به عنوان یک نتیجه، دریافتیم که یک پهن شدگی در طیف های اپتیکی و مگنتواپتیکی ساختارهای بلور فوتونی مغناطیسی شامل مواد دوگانه-منفی رخ می دهد. در واقع، نتایج نش...
full textخواص مگنتواپتیکی ساختارهای چندلایه ای شامل مواد مغناطیسی
در این رساله، مشخصه های اپتیکی و مگنتواپتیکی ساختارهای چندلایه ای دارای مواد مگنتواپتیکی مطالعه شده است. ابتدا، انواع اثرات مگنتواپتیکی و موادی که این اثرات در آن ها قابل مشاهده هستند، معرفی شده اند. سپس ویژگی های بلورهای مگنتوفوتونی که سبب تقویت شدید اثرات مگنتواپتیکی می شوند، با استفاده از رهیافت ماتریس انتقال 4×4 مورد بررسی قرار گرفته اند. این رهیافت که برای مشخصه یابی ساختارهای چندلایه ای م...
15 صفحه اولMy Resources
document type: thesis
وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه شهید بهشتی - دانشکده علوم
Keywords
Hosted on Doprax cloud platform doprax.com
copyright © 2015-2023